恒溫恒壓電化學(xué)陽(yáng)及氧化法成功合成了孔徑為40 ~ 50 nm的高鋁球石。孔徑大小可以通過(guò)鉸孔過(guò)程輕松控制。該方法制備的鎳納米線陣列基于高鋁球石，采用直流和交流電化學(xué)沉積法合成了高度有序的鎳納米線陣列。用掃描電鏡、XRD、TEM和MPMS對(duì)納米線陣列的形貌、結(jié)構(gòu)和磁性進(jìn)行了表征和分析。
　　在該方法制備的鐵及其硫化物納米線陣列的基礎(chǔ)上，采用交流電化學(xué)沉積法合成了高度有序的鐵納米線陣列。用掃描電鏡、XRD和MPMS對(duì)制備的鐵納米線陣列進(jìn)行了表征和分析。利用沉積在高鋁球石上的金屬鐵納米線陣列，通過(guò)硫化工藝獲得其硫化物納米線陣列。通過(guò)掃描電鏡和XRD對(duì)硫化后納米線陣列的形貌和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征和分析。
　　采用二次陽(yáng)及氧化法在草酸溶液中制備了具有規(guī)則孔隙分布的高鋁球石。此外，以陽(yáng)及氧化鋁膜為例，采用DC沉積法在高鋁球石上沉積了鎳納米線。此外采用浸漬還原法在有序高鋁球石中制備了鎳納米管，并對(duì)其進(jìn)行了表征。采用二次電化學(xué)陽(yáng)及氧化的方法，在草酸溶液中，在高純鋁板表面制備了具有高度有序孔隙和六方密堆積的高鋁球石。
　　同時(shí)對(duì)一次陽(yáng)及氧化和二次陽(yáng)及氧化制備的氧化鋁薄膜中孔隙的有序原因進(jìn)行了對(duì)比分析，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。
小編：Casey